IRF9610S
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | IRF9610S |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 900mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 20W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRF9610 |
IRF9610S Einzelheiten PDF [English] | IRF9610S PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
N-CHANNEL200V
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
IR TO-263
IR TO-220
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
IR TO220
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF9610SVishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|