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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TS60NPBF
| Artikelnummer: | VS-GB200TS60NPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 600V 209A INT-A-PAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TS60NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-GB200TS60NPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.84V @ 15V, 200A Supplier Device-Gehäuse INT-A-PAK Serie - Leistung - max 781 W Verpackung / Gehäuse INT-A-PAK (3 + 4) Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingang Standard IGBT-Typ NPT Strom - Collector Cutoff (Max) 200 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 209 A Konfiguration Half Bridge Grundproduktnummer GB200 VS-GB200TS60NPBF Einzelheiten PDF [English] VS-GB200TS60NPBF PDF - EN.pdf -
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