Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4KPBF
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-CPV363M4KPBF
Availability: InStock
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4KPBF

Artikelnummer:

VS-CPV363M4KPBF

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

Datenblätte:

1.VS-CPV363M4KPBF.pdf ···: PCN -Design/Spezifikation
Plastic Case Chg 04/Apr/2016.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4KPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-CPV363M4KPBF.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600 V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device-Gehäuse	IMS-2
Serie	-
Leistung - max	36 W
Verpackung / Gehäuse	19-SIP (13 Leads), IMS-2
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor	No

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	740 pF @ 30 V
Eingang	Standard
IGBT-Typ	-
Strom - Collector Cutoff (Max)	250 µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	11 A
Grundproduktnummer	CPV363
VS-CPV363M4KPBF Einzelheiten PDF [English]	VS-CPV363M4KPBF PDF - EN.pdf

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