VS-8TQ100STRRHM3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100STRRHM3
| Artikelnummer: | VS-8TQ100STRRHM3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 800+ | $1.0792 |
| 1600+ | $0.96 |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100STRRHM3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-8TQ100STRRHM3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 720 mV @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 550 µA @ 80 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F 500pF @ 5V, 1MHz Grundproduktnummer 8TQ100 VS-8TQ100STRRHM3 Einzelheiten PDF [English] VS-8TQ100STRRHM3 PDF - EN.pdf -
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