VS-5EWL06FN-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EWL06FN-M3
| Artikelnummer: | VS-5EWL06FN-M3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EWL06FN-M3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-5EWL06FN-M3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie FRED Pt® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 145 ns Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 5A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 5EWL06 VS-5EWL06FN-M3 Einzelheiten PDF [English] VS-5EWL06FN-M3 PDF - EN.pdf -
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