VS-4ESH02HM3/86A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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RF/if und RFID
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4ESH02HM3/86A
| Artikelnummer: | VS-4ESH02HM3/86A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 100+ | $0.4478 |
| 500+ | $0.354 |
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- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4ESH02HM3/86A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-4ESH02HM3/86A.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 930 mV @ 4 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-277A (SMPC) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 20 ns Verpackung / Gehäuse TO-277, 3-PowerDFN Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 µA @ 200 V Strom - Richt (Io) 4A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 4ESH02 VS-4ESH02HM3/86A Einzelheiten PDF [English] VS-4ESH02HM3/86A PDF - EN.pdf -
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