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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-182NQ030PBF
| Artikelnummer: | VS-182NQ030PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 30V 180A D-67 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-182NQ030PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-182NQ030PBF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 590 mV @ 180 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse D-67 HALF-PAK Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse D-67 HALF-PAK Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Befestigungsart Chassis Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 15 mA @ 30 V Strom - Richt (Io) 180A Kapazität @ Vr, F 7700pF @ 5V, 1MHz Grundproduktnummer 182NQ030 VS-182NQ030PBF Einzelheiten PDF [English] VS-182NQ030PBF PDF - EN.pdf -
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