UGB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8CTHE3/45
| Artikelnummer: | UGB8CTHE3/45 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| 1000+ | $0.585 |
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Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8CTHE3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments UGB8CTHE3/45.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 8A Spannung - Sperr (Vr) (max) 150V Supplier Device-Gehäuse TO-263AB Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Diodentyp Standard Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 150V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F - UGB8CTHE3/45 Einzelheiten PDF [English] UGB8CTHE3/45 PDF - EN.pdf -
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