SS1H10HE3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H10HE3/5AT
| Artikelnummer: | SS1H10HE3/5AT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H10HE3/5AT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SS1H10HE3/5AT.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 770 mV @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max) Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer SS1H10 SS1H10HE3/5AT Einzelheiten PDF [English] SS1H10HE3/5AT PDF - EN.pdf -
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