SM5S33HE3/2D
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM5S33HE3/2D
| Artikelnummer: | SM5S33HE3/2D |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | TVS DIODE 33VWM 59VC DO218AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM5S33HE3/2D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SM5S33HE3/2D.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ) 33V Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp 59V Spannung - Aufteilung (min.) 36.7V Unidirektionale Kanäle 1 Art Zener Supplier Device-Gehäuse DO-218AB Serie Automotive, AEC-Q101, PAR® Stromleitungsschutz No Power - Peak Pulse 3600W (3.6kW) Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse DO-218AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs) 61A Kapazität @ Frequenz - Grundproduktnummer SM5S33 Anwendungen Automotive SM5S33HE3/2D Einzelheiten PDF [English] SM5S33HE3/2D PDF - EN.pdf -
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