SE10DBHM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | SE10DBHM3/I |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 3A TO263AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
4000+ | $0.396 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AC (SMPD) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 3000 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 15 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 67pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | SE10 |
SE10DBHM3/I Einzelheiten PDF [English] | SE10DBHM3/I PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 3A TO263AC
SAMSUNG QFP128
VISHAY TO-263
DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC
DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
BACKSHELL
DIODE GEN PURP 100V 3A TO263AC
DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC
DIODE GEN PURP 100V 3A TO263AC
DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC
DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
CONN EDGE DUAL FMALE 240P 0.026
DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC
DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SE10DBHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|