S4PB-M3/87A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | S4PB-M3/87A |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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6500+ | $0.1751 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 4 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-277A (SMPC) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | eSMP® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2.5 µs |
Verpackung / Gehäuse | TO-277, 3-PowerDFN |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 4A |
Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S4P |
S4PB-M3/87A Einzelheiten PDF [English] | S4PB-M3/87A PDF - EN.pdf |
CONN HEADER R/A 4POS 3.96MM
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
PROTOTYPE
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
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VISHAY TO-277
MOTOROLA SOP-8
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
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PROTOTYPE
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
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PROTOTYPE
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VISHAY TO-277
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S4PB-M3/87AVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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