S3BHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | S3BHE3_A/I |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3500+ | $0.1749 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 2.5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2.5 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S3B |
S3BHE3_A/I Einzelheiten PDF [English] | S3BHE3_A/I PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
BRIDGE RECT 3PHASE 2.5KV 500MA
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
BRIDGE RECT 3PHASE 200V 2A
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
BRIDGE RECT 3PHASE 50V 2A
DIODE GEN PURP 100V 3A SMB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
BRIDGE RECT 3PHASE 600V 2A
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
BRIDGE RECT 3PHASE 2KV 500MA
BRIDGE RECT 3PHASE 400V 2A
Interface
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
BRIDGE RECT 3PHASE 1KV 2A
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S3BHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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