S1FLJ-GS18
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLJ-GS18
| Artikelnummer: | S1FLJ-GS18 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 600V 700MA DO219AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLJ-GS18 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments S1FLJ-GS18.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 1.8 µs Verpackung / Gehäuse DO-219AB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 700mA Kapazität @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer S1F S1FLJ-GS18 Einzelheiten PDF [English] S1FLJ-GS18 PDF - EN.pdf -
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