RS2GHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | RS2GHE3_A/H |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.45 |
10+ | $0.386 |
100+ | $0.2884 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1.5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 1.5A |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS2G |
RS2GHE3_A/H Einzelheiten PDF [English] | RS2GHE3_A/H PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 400V 2A SOD123F
DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS2GHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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