RMPG06BHE3_A/53
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | RMPG06BHE3_A/53 |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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12000+ | $0.1792 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | MPG06 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Verpackung / Gehäuse | MPG06, Axial |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Box (TB) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 6.6pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RMPG06 |
RMPG06BHE3_A/53 Einzelheiten PDF [English] | RMPG06BHE3_A/53 PDF - EN.pdf |
DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06
IC AMP 802.11/WIFI 5.85GHZ 16LCC
DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06
DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
IC AMP WLL 4.9GHZ-5.9GHZ 10LCC
DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06
DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06
DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
IC AMP WLL 4.9GHZ-5.9GHZ 10LCC
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
WALSIN QFN
DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RMPG06BHE3_A/53Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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