RGL41KHE3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41KHE3/97
| Artikelnummer: | RGL41KHE3/97 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41KHE3/97 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RGL41KHE3/97.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 800 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-213AB Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie SUPERECTIFIER® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 500 ns Verpackung / Gehäuse DO-213AB, MELF (Glass) Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 800 V Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer RGL41 RGL41KHE3/97 Einzelheiten PDF [English] RGL41KHE3/97 PDF - EN.pdf -
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