PLZ11B-G3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ11B-G3/H
| Artikelnummer: | PLZ11B-G3/H |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ZENER 11V 500MW DO219AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ11B-G3/H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PLZ11B-G3/H.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Zener (Nom) (Vz) 11 V Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 900 mV @ 10 mA Toleranz ±3% Supplier Device-Gehäuse DO-219AC (microSMF) Serie PLZ Leistung - max 500 mW Verpackung / Gehäuse DO-219AC Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C Befestigungsart Surface Mount Impedanz (Max) (Zzt) 10 Ohms Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 nA @ 8 V Grundproduktnummer PLZ11 PLZ11B-G3/H Einzelheiten PDF [English] PLZ11B-G3/H PDF - EN.pdf -
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