NSB8BTHE3/81
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8BTHE3/81
| Artikelnummer: | NSB8BTHE3/81 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8BTHE3/81 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NSB8BTHE3/81.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer NSB8 NSB8BTHE3/81 Einzelheiten PDF [English] NSB8BTHE3/81 PDF - EN.pdf -
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