ESH3B-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | ESH3B-E3/9AT |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3500+ | $0.3208 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | ESH3 |
ESH3B-E3/9AT Einzelheiten PDF [English] | ESH3B-E3/9AT PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
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20NS, 3A, 100V, ULTRA FAST RECOV
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ESH3B-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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