Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-M3-08
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: BZD27C51P-M3-08
Price: 0.1575 USD
Availability: InStock
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-M3-08

Artikelnummer:

BZD27C51P-M3-08

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

DIODE ZENER 51V 800MW DO219AB

Datenblätte:

1.BZD27C51P-M3-08.pdf ···: Datenblätter
BZD27-M Series.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 27/Apr/2023.pdf

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-M3-08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZD27C51P-M3-08.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Zener (Nom) (Vz)	51 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2 V @ 200 mA
Toleranz	-
Supplier Device-Gehäuse	DO-219AB (SMF)
Serie	BZD27-M
Leistung - max	800 mW
Verpackung / Gehäuse	DO-219AB

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-65°C ~ 175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Impedanz (Max) (Zzt)	60 Ohms
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1 µA @ 39 V
Grundproduktnummer	BZD27C51
BZD27C51P-M3-08 Einzelheiten PDF [English]	BZD27C51P-M3-08 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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