BYM12-400HE3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | BYM12-400HE3/97 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AB |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | SUPERECTIFIER® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | BYM12 |
BYM12-400HE3/97 Einzelheiten PDF [English] | BYM12-400HE3/97 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
BYM12-400 VISHAY
BYM12-50 VISHAY
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
BYM12-400-E3/76 VISHAY
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
BYM12-400/26 VISHAY
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
VISHAY LL41
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BYM12-400HE3/97Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|