BYM10-800-E3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | BYM10-800-E3/97 |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.45 |
10+ | $0.365 |
100+ | $0.2488 |
500+ | $0.1866 |
1000+ | $0.14 |
2000+ | $0.1283 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AB |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | SUPERECTIFIER® |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | BYM10 |
BYM10-800-E3/97 Einzelheiten PDF [English] | BYM10-800-E3/97 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
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DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BYM10-800-E3/97Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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