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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10J/TR
| Artikelnummer: | BYG10J/TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10J/TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BYG10J/TR.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Avalanche Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 4 µs Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 1.5A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer BYG10 BYG10J/TR Einzelheiten PDF [English] BYG10J/TR PDF - EN.pdf -
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