1N5062TR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Integrierte schaltkreise (ICS)
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Diskrete Halbleiter-Produkte
Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Klemmen-Messer Steckverbinder(3829)
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- Klemmen-Folie Steckverbinder(662)
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Shunts, Jumper(821)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5062TR
| Artikelnummer: | 1N5062TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.65 |
| 10+ | $0.556 |
| 100+ | $0.4153 |
| 500+ | $0.3263 |
| 1000+ | $0.2521 |
| 2000+ | $0.2299 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5062TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 1N5062TR.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 2.5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 800 V Technologie Avalanche Supplier Device-Gehäuse SOD-57 Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 4 µs Verpackung / Gehäuse SOD-57, Axial Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 800 V Strom - Richt (Io) 2A Kapazität @ Vr, F 40pF @ 0V, 1MHz Grundproduktnummer 1N5062 1N5062TR Einzelheiten PDF [English] 1N5062TR PDF - EN.pdf -
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