Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448WS-HE3-18
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 1N4448WS-HE3-18
Price: 0.036 USD
Availability: InStock
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448WS-HE3-18

Artikelnummer:

1N4448WS-HE3-18

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

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~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448WS-HE3-18 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 1N4448WS-HE3-18.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	720 mV @ 5 mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)	75 V
Technologie	Standard
Supplier Device-Gehäuse	SOD-323
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	4 ns
Verpackung / Gehäuse	SC-76, SOD-323

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur - Anschluss	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5 µA @ 75 V
Strom - Richt (Io)	150mA
Kapazität @ Vr, F	-
Grundproduktnummer	1N4448
1N4448WS-HE3-18 Einzelheiten PDF [English]	1N4448WS-HE3-18 PDF - EN.pdf

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