112MT80KB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | 112MT80KB |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 3PHASE 800V 110A MTK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Spitzensperr- (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | MTK |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | MTK |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodentyp | Three Phase |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 20 mA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 110 A |
Grundproduktnummer | 112MT80 |
112MT80KB Einzelheiten PDF [English] | 112MT80KB PDF - EN.pdf |
IGBT Modules
BOX ABS BLACK 3.600"L X 2.250"W
ST TO-247
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
BOX ABS ALMOND 3.600"L X 2.250"W
IGBT Modules
BRIDGE RECT 3P 1.6KV 110A MTK
3M VISCOELASTIC DAMPING POLYMER
3M VISCOELASTIC DAMPING POLYMER
IGBT Modules
3M VISCOELASTIC DAMPING POLYMER
IGBT Modules
RECT BRIDGE 800V 110A MTK
IGBT Modules
3M VISCOELASTIC DAMPING POLYMER
RECT BRIDGE 1600V 110A MTK
IGBT Modules
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 112MT80KBVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|