UPA2210T1M-T1-AT
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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427+ | $0.70 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-VSOF |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.2A (Ta) |
UPA2210T1M-T1-AT Einzelheiten PDF [English] | UPA2210T1M-T1-AT PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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