TPH3208LDG
Transphorm
Deutsch
Artikelnummer: | TPH3208LDG |
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Hersteller / Marke: | Transphorm |
Teil der Beschreibung.: | GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $10.81 |
10+ | $9.761 |
100+ | $8.0812 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Vgs (Max) | ±18V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | 3-PQFN (8x8) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
Verlustleistung (max) | 96W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 3-PowerDFN |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
TPH3208LDG Einzelheiten PDF [English] | TPH3208LDG PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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