TK20E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK20E60W,S1VX |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $5.37 |
10+ | $4.826 |
100+ | $3.9537 |
500+ | $3.3657 |
1000+ | $2.8386 |
2000+ | $2.6966 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 165W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK20E60 |
TK20E60W,S1VX Einzelheiten PDF [English] | TK20E60W,S1VX PDF - EN.pdf |
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TOSHIBA TO247
TK20E60W5,S1VX(S TOSHIBA
TOSHIBA TO-220
TK20J50D(F) TOSHIBA
TK20J50D TOSHIBA
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
TOSHIBA TO-220
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TK20E60 TOSHIBA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TK20E60W,S1VXToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|