TK1K9A60F,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK1K9A60F,S4X |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.90 |
10+ | $0.805 |
100+ | $0.6279 |
500+ | $0.5187 |
1000+ | $0.4095 |
2000+ | $0.3822 |
5000+ | $0.3631 |
10000+ | $0.3494 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 400µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220SIS |
Serie | U-MOSIX |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 1.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 30W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK1K9A60 |
TK1K9A60F,S4X Einzelheiten PDF [English] | TK1K9A60F,S4X PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
![]() TK1K9A60F,S4XToshiba Semiconductor and Storage |
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Zielpreis (USD)
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