US1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | US1B R3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.57 |
10+ | $0.489 |
100+ | $0.365 |
500+ | $0.2868 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | US1B |
US1B R3G Einzelheiten PDF [English] | US1B R3G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
PANJIT SMD
US1B T/R PANJIT
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 30A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
US1AW Original
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
Diodes - Rectifiers - Single SMA
US1B-E3 VISHAYMAS
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() US1B R3GTaiwan Semiconductor Corporation |
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Zielpreis (USD)
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