TSM060N03PQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | TSM060N03PQ33 RGG |
---|---|
Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.56 |
10+ | $1.398 |
100+ | $1.09 |
500+ | $0.9004 |
1000+ | $0.7108 |
2000+ | $0.6635 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-PDFN (3.1x3.1) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 40W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1342 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.4 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 62A (Tc) |
Grundproduktnummer | TSM060 |
TSM060N03PQ33 RGG Einzelheiten PDF [English] | TSM060N03PQ33 RGG PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFN
MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
30V, 62A, SINGLE N-CHANNEL POWER
MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TSM060N03PQ33 RGGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|