SFAS1008GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | SFAS1008GHMNG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB (D²PAK) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | SFAS1008 |
SFAS1008GHMNG Einzelheiten PDF [English] | SFAS1008GHMNG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SFAS1008GHMNGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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