S2DHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S2DHR5G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.5 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 2A |
Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S2D |
S2DHR5G Einzelheiten PDF [English] | S2DHR5G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
Interface
SAMSUNG BGA
SAMSUNG DFN
DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
SWITCH SLIDE DPDT 0.4VA 20V
2 RU D-RING CABLE RETAINER, 80MM
DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
SAMSUNG BGA
S2DHE3/52T VISHAY
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S2DHR5GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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