S1MR2
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1MR2 |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.5 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S1M |
DIODE GP 1KV 1A POWERDI123
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
HIGH SPEED SWITCHING DIODE
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
DIODE GP 1KV 1A POWERDI123
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
1.2A, 1000V, STANDARD RECOVERY R
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GP 1KV 1A POWERDI123
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
1.2A, 1000V, STANDARD RECOVERY R
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1MR2Taiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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