S1JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1JB R5G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S1J |
S1JB R5G Einzelheiten PDF [English] | S1JB R5G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
S1JF JD
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
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S1JB R4 TSC
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1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
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DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
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DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
DIODE GENERAL PURPOSE SMB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1JB R5GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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