S12GC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S12GC M6G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 12 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 12A |
Kapazität @ Vr, F | 78pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S12G |
S12GC M6G Einzelheiten PDF [English] | S12GC M6G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
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DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S12GC M6GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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