S10MCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S10MCHM6G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 10A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S10M |
S10MCHM6G Einzelheiten PDF [English] | S10MCHM6G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
S10MG-E3/I VISHAY
POTENTIOMETER M OPTION
ST SOP8
DIODE GEN PURP 1KV 10A SMC
DIODE GEN PURP 10A DO214AB
DIODE GEN PURP 10A DO214AB
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JOYSTICK
DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 10A SMC
2024/06/6
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2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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