RSFJLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RSFJLHR3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 600V 500MA SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 500 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 500mA |
Kapazität @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RSFJL |
RSFJLHR3G Einzelheiten PDF [English] | RSFJLHR3G PDF - EN.pdf |
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
250NS, 0.5A, 600V, FAST RECOVERY
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
DIODE GP 800V 500MA SUB SMA
DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
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DIODE GP 600V 500MA SUB SMA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RSFJLHR3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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