RS3BHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS3BHM6G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | RS3B |
RS3BHM6G Einzelheiten PDF [English] | RS3BHM6G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
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RS3BTR-13 Microsemi
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DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS3BHM6GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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