RS1JLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1JLHRUG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 600V 800MA SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 800mA |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS1J |
RS1JLHRUG Einzelheiten PDF [English] | RS1JLHRUG PDF - EN.pdf |
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
300NS, 1.2A, 600V, FAST RECOVERY
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERY
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
150NS, 1A, 600V, FAST RECOVERY R
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1JLHRUGTaiwan Semiconductor Corporation |
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Zielpreis (USD)
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