RS1JALH
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1JALH |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 250NS, 1A, 600V, FAST RECOVERY R |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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28000+ | $0.069 |
56000+ | $0.0663 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Thin SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
250NS, 1A, 600V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
DIODE GENERAL PURPOSE SMB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1JALHTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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