RS1DL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1DL RQG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 200V 800MA SUB SMA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 800mA |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS1D |
RS1DL RQG Einzelheiten PDF [English] | RS1DL RQG PDF - EN.pdf |
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
TSC SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
RS1DL R3 TSC
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
150NS, 0.8A, 200V, FAST RECOVERY
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
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150NS, 0.8A, 200V, FAST RECOVERY
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1DL RQGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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