MUR4L60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | MUR4L60HB0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.28 V @ 4 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 4A |
Kapazität @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | MUR4L60 |
MUR4L60HB0G Einzelheiten PDF [English] | MUR4L60HB0G PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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