MUR360SB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | MUR360SB R5G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.05 |
10+ | $0.938 |
100+ | $0.7316 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | MUR360 |
MUR360SB R5G Einzelheiten PDF [English] | MUR360SB R5G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
MUR360T3G ON
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
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DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MUR360SB R5GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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