KBP102G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | KBP102G C2G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A KBP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | 100 V |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | KBP |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 4-SIP, KBP |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Diodentyp | Single Phase |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1 A |
KBP102G C2G Einzelheiten PDF [English] | KBP102G C2G PDF - EN.pdf |
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A KBP
RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A KBP
BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A KBP
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A KBP
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A KBP
BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A KBP
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A KBP
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A KBP
DIODE 1.5A 800V KBPM
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A KBP
BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A KBP
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A KBP
BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM
DIODE 1.5A 800V KBPM
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A KBP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() KBP102G C2GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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