HS2JA M2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Deutsch
Artikelnummer: | HS2JA M2G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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15000+ | $0.0872 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1.5A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Andere Namen | HS2JA M2G-ND HS2JAM2G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 600V |
Strom - Richt (Io) | 1.5A |
Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
HS2JA M2G Einzelheiten PDF [English] | HS2JA M2G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 1.5A, 600V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 2A THIN SMA
DIODE GEN PURP 400V 2A SOD128
50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 2A SOD128
75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS2JA M2GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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