HS1JALH
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS1JALH |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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14000+ | $0.1013 |
28000+ | $0.1008 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Thin SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 13pF @ 4V, 1MHz |
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
50NS, 1A, 400V, HIGH EFFICIENT R
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1JALHTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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