HS1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS1BL M2G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS1B |
HS1BL M2G Einzelheiten PDF [English] | HS1BL M2G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
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DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
PWR XFMR LAMINATED 50VA CHAS MT
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1BL M2GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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